IRLB4132PBF vs IRF1405PBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRLB4132PBF द्वारा Infineon और IRF1405PBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRLB4132PBF IRLB4132PBF - 30V 78A N-Channel HEXFET MOSFET TO-220

IRLB4132PBF - 30V 78A N-Channel HEXFET MOSFET TO-220

IRLB4132PBF ✓ सक्रिय
Infineon
IRF1405PBF IRF1405PBF - 55V 169A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF1405PBF - 55V 169A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF1405PBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRLB4132PBF IRF1405PBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
ट्रांज़िस्टर प्रकार N-Channel MOSFET (HEXFET) N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 78 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Maximum Power Dissipation (PD, Tc=25C) 140 W —
On-Resistance (RDS(on), VGS=10V) 3.5 mOhm (typical) —
On-Resistance (RDS(on), VGS=4.5V) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typical) 1.0 V to 2.5 V —
Gate Charge (Qg, typical) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Maximum Junction Temperature 175 C —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55 C to +175 C —
पैकेज / केस TO-220AB (through-hole, 3 leads) —
माउंटिंग प्रकार Through Hole Through Hole
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-free PBF suffix) —
AEC-Q101 Automotive Qualification Not qualified (industrial/commercial) —
Part Number Suffix — PbF (lead-free, RoHS compliant)
Technology — HEXFET (Stripe Planar cell structure)
Drain-Source Voltage (V_DS) — 55 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25C) — 169 A
Continuous Drain Current (I_D, Tc=100C) — [DATA_NEEDED: I_D at Tc=100C]
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current rating]
Maximum Power Dissipation (P_D, Tc=25C) — 330 W
R_DS(on) Maximum — 5.3 mOhm @ V_GS = 10 V
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 2.0 V to 4.0 V
Maximum Gate-Source Voltage (V_GS) — [DATA_NEEDED: maximum V_GS rating]
Operating Junction Temperature (T_J max) — 175 C
Storage Temperature Range — [DATA_NEEDED: storage temperature range]
पैकेज — TO-220AB (through-hole)
Qualification — JEDEC qualified, optimized for switching below 100 kHz
RoHS स्थिति — PbF suffix indicates lead-free / RoHS compliant
Single Pulse Avalanche Energy (E_AS) — [DATA_NEEDED: avalanche energy rating]
Thermal Resistance Junction-to-Case (R_theta_JC) — [DATA_NEEDED: thermal resistance R_theta_JC]

डेटाशीट और संसाधन

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