K4B4G1646D-BFMA vs K4B4G1646D-BCH90 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4B4G1646D-BFMA द्वारा Samsung Electronics और K4B4G1646D-BCH90 द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCH90 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BCH90 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4B4G1646D-BFMA | K4B4G1646D-BCH90 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR3 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4Gb |
| संगठन | 256M x 16 | 32M x 16 |
| डेटा दर | 1866 Mbps | 2133 Mb/s per pin |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.5V | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| पैकेज | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| Ball Pitch | 0.8mm | — |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | 8 and 4 |
| CAS लेटेंसी | Programmable | 9-14 clocks (programmable) |
| On-Die Termination | Yes | Yes (ODT) |
| Temperature Range | 0°C to 95°C (case) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| हैलोजन फ्री | Yes | Yes |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | 0°C to +85°C |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |