K4B4G1646D-BMK0 vs K4B4G1646D-BHMA तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4B4G1646D-BMK0 द्वारा Samsung Electronics और K4B4G1646D-BHMA द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1600Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BMK0 ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4B4G1646D-BMK0 | K4B4G1646D-BHMA |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| संगठन | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Speed Grade | 1600 Mbps (PC3L-12800) | — |
| Voltage | 1.35 V | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40°C to 95°C | -40°C to +95°C (TC) |
| पैकेज | 96FBGA (TFBGA) | 96-ball FBGA |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Die Version | D-die | D-die |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| हैलोजन फ्री | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | Yes |
| Number of Terminals | 96 | 96 |
| Package Code | TFBGA | — |
| Number of Functions | 1 | — |
| डेटा दर | 1600 Mbps | 1866 Mbps |
| सप्लाई वोल्टेज | — | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| CAS लेटेंसी | — | 13 (at 1866 Mbps) |
| Burst Length | — | 8 and 4 |
| Refresh Mode | — | Auto and Self Refresh |