M29W160EB70N3F vs M29W160ET70N3F तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना M29W160EB70N3F द्वारा Micron Technology और M29W160ET70N3F द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Micron Technology
M29W160EB70N3F M29W160EB70N3F - 16Mbit NOR Flash, 70ns, 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3F - 16Mbit NOR Flash, 70ns, 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3F ✓ सक्रिय
Micron Technology
M29W160ET70N3F M29W160ET70N3F - 16Mb 70ns AEC-Q100 NOR Flash | Micron

M29W160ET70N3F - 16Mb 70ns AEC-Q100 NOR Flash | Micron

M29W160ET70N3F ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर M29W160EB70N3F M29W160ET70N3F
ब्रांड Micron Technology Micron Technology
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार FLASH - NOR Parallel NOR Flash
मेमोरी आकार 16 Mbit (2M x8 / 1M x16) 16 Mbit (2 M x 8 / 1 M x 16)
Access Time 70 ns 70 ns
इंटरफ़ेस Parallel (Byte/Word-wide) —
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V —
Programming Time 10 us per byte/word (typical) —
Boot Block Position Bottom boot block —
Bus Configuration x8 / x16 selectable (BYTE# pin) x8 / x16 selectable
पैकेज / केस 48-TSOP (0.724 in, 18.40 mm width) —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel Tape and Reel
Qualification Automotive, AEC-Q100 AEC-Q100 qualified
Erase Architecture Block erase (boot block + main blocks) —
Common Flash Interface Yes (CFI compliant) —
Reset Input RESET# hardware reset pin —
ऑपरेटिंग तापमान [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
MSL स्तर [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
सप्लाई वोल्टेज — 3 V / 3.3 V
Technology — CMOS
Boot Block Architecture — Top boot
पैकेज — 48-pin TSOP
Temperature Grade — Automotive (AEC-Q100)
RoHS स्थिति — RoHS-compliant package (F option)
Programming Interface — Parallel command set
Number of Terminals — 48

डेटाशीट और संसाधन

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