M321R4GA3EB2-CCP vs M321R4GA3EB0-CWM तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना M321R4GA3EB2-CCP द्वारा Samsung Electronics और M321R4GA3EB0-CWM द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

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M321R4GA3EB2-CCP M321R4GA3EB2-CCP - 32GB DDR5-6400 ECC RDIMM | Samsung | Server

M321R4GA3EB2-CCP - 32GB DDR5-6400 ECC RDIMM | Samsung | Server

M321R4GA3EB2-CCP ✓ सक्रिय
Samsung Electronics
M321R4GA3EB0-CWM M321R4GA3EB0-CWM - 32GB DDR5-5600 ECC RDIMM | Samsung

M321R4GA3EB0-CWM - 32GB DDR5-5600 ECC RDIMM | Samsung

M321R4GA3EB0-CWM ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर M321R4GA3EB2-CCP M321R4GA3EB0-CWM
ब्रांड Samsung Electronics Samsung Electronics
श्रेणी EEPROM Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Capacity 32 GB (1 x 32 GB) 32 GB
मेमोरी प्रकार DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Form Factor 288-pin DIMM 288-pin DIMM
Module Type Registered DIMM (RDIMM) ECC Registered DIMM (RDIMM)
डेटा दर 6400 MT/s 5600 MT/s (PC5-44800)
PC Rating PC5-51200 (PC5-51200R) —
CAS लेटेंसी CL52 CL46
Operating Voltage 1.1 V 1.1 V
संगठन 4G x 72 (with ECC) 4Gx72
Ranks Dual Rank (2R) —
DRAM Configuration 20 x FBGA 2Gx8 DDR5 DRAM —
ECC Yes (Registered ECC) Yes (Registered with ECC)
Peak Bandwidth 51.2 GB/s per module —
Compliance JEDEC PC5-51200R compliant —
Platform Intel / AMD server platforms (DDR5 RDIMM) —
Application Server memory —
ऑपरेटिंग तापमान [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Module Height [DATA_NEEDED: module height] —
Rank Configuration — 2Rx8 (Dual Rank)
DRAM Composition — 20 x FBGA 2Gx8 DDR5 DRAM
Configuration — 1 x 32 GB
Bandwidth Class — PC5-44800 (44800 MB/s)
Application Segment — Server / Datacenter
ब्रांड — Samsung Electronics
GTIN / EAN — 5715328154490

डेटाशीट और संसाधन

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