MT25QL128ABB8E12-0AUT vs N25Q128A13ESFA0F तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना MT25QL128ABB8E12-0AUT द्वारा Micron Technology और N25Q128A13ESFA0F द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Micron Technology
MT25QL128ABB8E12-0AUT MT25QL128ABB8E12-0AUT - 128Mb SPI NOR Flash 133MHz | Micron

MT25QL128ABB8E12-0AUT - 128Mb SPI NOR Flash 133MHz | Micron

MT25QL128ABB8E12-0AUT ✓ सक्रिय
Micron Technology
N25Q128A13ESFA0F N25Q128A13ESFA0F - 128Mb SPI NOR Flash 108MHz | Micron

N25Q128A13ESFA0F - 128Mb SPI NOR Flash 108MHz | Micron

N25Q128A13ESFA0F ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर MT25QL128ABB8E12-0AUT N25Q128A13ESFA0F
ब्रांड Micron Technology Micron Technology
श्रेणी Memory ICs EEPROM
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Density 128 Mbit (16 MB) 128 Mbit (16 MB)
मेमोरी प्रकार Serial NOR Flash Serial NOR Flash Memory
इंटरफ़ेस SPI - Quad I/O (x4) SPI (Standard / Dual / Quad I/O)
अधिकतम क्लॉक फ़्रीक्वेंसी 133 MHz —
सप्लाई वोल्टेज 3.0 V (nominal) 3 V / 3.3 V
Technology 45 nm —
पैकेज 24-T-PBGA (6x8 mm), 5x5 ball array 16-Pin SO W (SOIC wide-body, 300 mil)
Package Dimensions 6.00 x 8.00 x 1.20 mm —
FBGA Code RW318 —
ऑपरेटिंग तापमान -40C to +125C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Automotive Grade Yes (-AUT suffix) —
Bus Width x4 (Quad I/O) —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount (BGA) Surface Mount
Execute In Place (XIP) Supported (serial NOR) —
RoHS स्थिति Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Data Retention [DATA_NEEDED: data retention] [DATA_NEEDED: retention years]
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase endurance] —
संगठन — 16M x 8
Max Clock Frequency — 108 MHz
Access Time — 7 ns
Subsector Erase — 4 KByte (boot sectors)
XiP Support — Yes (Execute-In-Place)
Packaging — Tape & Reel (T/R)
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: endurance cycles]

डेटाशीट और संसाधन

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