MT40A512M16LY-062E:E vs AS4C512M16D4B-62BCNTR तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना MT40A512M16LY-062E:E द्वारा Micron Technology और AS4C512M16D4B-62BCNTR द्वारा Alliance Memory. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Micron Technology
MT40A512M16LY-062E:E - 8Gb DDR4-3200 x16 SDRAM | Micron
MT40A512M16LY-062E:E ✓ सक्रियAlliance Memory
AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4B-62BCNTR ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | MT40A512M16LY-062E:E | AS4C512M16D4B-62BCNTR |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | Alliance Memory |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | SDRAM - DDR4 | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit (512M x 16) | — |
| संगठन | x16 | 512M x 16 |
| Clock Frequency | 1600 MHz (DDR4-3200, -062E speed grade) | 1600 MHz |
| डेटा दर | 3200 MT/s | 3200 MT/s |
| Access Time (tRCD/tRP) | 19 ns (per DigiKey listing) | — |
| Voltage - Supply (VDD) | 1.2 V (typical), 1.14 V min / 1.26 V max | — |
| Voltage - VPP | 2.5 V (typical) | — |
| इंटरफ़ेस | Parallel (LVCMOS / SSTL) | Parallel |
| पैकेज / केस | 96-TFBGA (7.5 x 13.5 mm) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: exact operating temp range for -062E:E base part; IT:E variant is -40C to +95C per Micron] | 0°C to 95°C |
| Refresh Cycles | 65536 | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes (data channel) | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes (LPASR) | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| मेमोरी आकार | — | 8 Gbit (512M x 16) |
| CAS लेटेंसी | — | 19 ns |
| सप्लाई वोल्टेज | — | 1.2 V (1.14V to 1.26V) |
| पैकेज | — | 96-FBGA (7.5x13 mm) |
| JEDEC Standard | — | Compliant |
| Revision | — | Rev.B |
| Lead-Free | — | Yes |