MT41K256M16 vs MT41K256M16RE-125:D तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना MT41K256M16 द्वारा Micron Technology और MT41K256M16RE-125:D द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Micron Technology
MT41K256M16 MT41K256M16 - 4Gb DDR3L SDRAM 1.35V x16 | Micron Technology

MT41K256M16 - 4Gb DDR3L SDRAM 1.35V x16 | Micron Technology

MT41K256M16 ✓ सक्रिय
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MT41K256M16RE-125:D MT41K256M16RE-125:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron

MT41K256M16RE-125:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron

MT41K256M16RE-125:D ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर MT41K256M16 MT41K256M16RE-125:D
ब्रांड Micron Technology Micron Technology
श्रेणी DRAM Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार DDR3L SDRAM (1.35V) DDR3L SDRAM
मेमोरी आकार 4 Gbit —
संगठन 256M x 16 256M x 16
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35 V (1.5V-compatible mode supported) —
Banks 8 —
पैकेज 96-ball FBGA FBGA-96 (9x14 mm)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount —
Speed Grade Options -093 (2133 MT/s), -107 (1866 MT/s), -125 (1600 MT/s) [per family ordering options] —
इंटरफ़ेस Parallel, source-synchronous DDR —
On-Die Termination Yes (ODT) Yes
ऑपरेटिंग तापमान [DATA_NEEDED: operating temperature range for the full MPN suffix] 0C to +95C (TC)
Refresh 8K refresh cycles / 64 ms —
CAS Latency Options [DATA_NEEDED: CL options for the full MPN suffix] —
Die Revision Refer to DDR3 (1.5V) SDRAM Die Rev :E datasheet for 1.5V mode specs —
RoHS स्थिति Compliant —
ECCN EAR99 —
Lead Free Yes (per DigiKey product listing) —
Density — 4 Gb
सप्लाई वोल्टेज — 1.35 V
डेटा दर — 1600 MT/s
CAS लेटेंसी — 11
RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Burst Length — 8, 4
Auto-Refresh — Yes
Self-Refresh — Yes
Ball Pitch — 0.8 mm

डेटाशीट और संसाधन

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