MT41K256M16HA-107G:E vs H5TC4G63CFR-H9J तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना MT41K256M16HA-107G:E द्वारा Micron Technology और H5TC4G63CFR-H9J द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Micron Technology
MT41K256M16HA-107G:E MT41K256M16HA-107G:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16HA-107G:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16HA-107G:E ✓ सक्रिय
SK hynix
H5TC4G63CFR-H9J H5TC4G63CFR-H9J - 4Gb DDR3L SDRAM 96-Ball TFBGA | SK Hynix

H5TC4G63CFR-H9J - 4Gb DDR3L SDRAM 96-Ball TFBGA | SK Hynix

H5TC4G63CFR-H9J ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर MT41K256M16HA-107G:E H5TC4G63CFR-H9J
ब्रांड Micron Technology SK hynix
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
मेमोरी आकार 4Gbit (256M x 16) —
Clock Frequency 933 MHz —
Access Time 20 ns —
सप्लाई वोल्टेज 1.35V —
इंटरफ़ेस Parallel —
पैकेज 96-FBGA (9x14 mm) 96-ball TFBGA
माउंटिंग प्रकार Surface Mount —
ऑपरेटिंग तापमान [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
RoHS स्थिति Compliant —
Lead-Free Yes Yes
डेटा बस चौड़ाई 16 bit —
संगठन 256M x 16 256M x 16
CAS लेटेंसी [DATA_NEEDED: CAS latency] —
पिन की संख्या 96 —
Density — 4Gb
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.35V +0.100/-0.067V
Speed Grade — -H9 (1866 Mbps / PC3-14900)
Number of Terminals — 96
Temperature Grade — Industrial
हैलोजन फ्री — Yes
RoHS Compliant — Yes
Clock Input — Fully differential (CK, CK)
Data Strobe — Differential (DQS, DQS)
On-Chip DLL — Yes
Data Mask (DM) — Yes

डेटाशीट और संसाधन

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