MT41K256M16HA-125:E vs MT41K256M16HA-107AAT:E तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना MT41K256M16HA-125:E द्वारा Micron Technology और MT41K256M16HA-107AAT:E द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Micron Technology
MT41K256M16HA-125:E MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125:E ✓ सक्रिय
Micron Technology
MT41K256M16HA-107AAT:E MT41K256M16HA-107AAT:E - 4Gbit DDR3L SDRAM | Micron

MT41K256M16HA-107AAT:E - 4Gbit DDR3L SDRAM | Micron

MT41K256M16HA-107AAT:E ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर MT41K256M16HA-125:E MT41K256M16HA-107AAT:E
ब्रांड Micron Technology Micron Technology
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gbit —
संगठन 256M x 16 256M x 16
Clock Frequency 800 MHz —
CAS लेटेंसी 13.75 ns 13 (typical)
Supply Voltage (VDD) 1.35 V (DDR3L) —
Supply Voltage (VDDQ) 1.35 V —
पैकेज 96-FBGA (9x14 mm) 96-FBGA (9x14mm)
पिन की संख्या 96 —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान रेंज 0°C to +95°C (TC) —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
डेटा बस चौड़ाई 16 bits —
Logic Family CMOS —
मेमोरी आकार — 4Gbit (256M x 16)
डेटा दर — 933 MHz (DDR3L-1866)
Access Time — 20 ns
सप्लाई वोल्टेज — 1.35V
इंटरफ़ेस — Parallel
ऑपरेटिंग तापमान — 0°C to +95°C (Tc)
Burst Length — 8, 4
On-Die Termination — Yes
Refresh — Auto-refresh, self-refresh

डेटाशीट और संसाधन

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