MT41K256M16LY-107:N vs MT41K256M16TW-107:P तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना MT41K256M16LY-107:N द्वारा Micron Technology और MT41K256M16TW-107:P द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Micron Technology
MT41K256M16LY-107:N - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron
MT41K256M16LY-107:N ✓ सक्रियMicron Technology
MT41K256M16TW-107:P - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron
MT41K256M16TW-107:P ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | MT41K256M16LY-107:N | MT41K256M16TW-107:P |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | Micron Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| मेमोरी आकार | 4 Gbit | 4Gbit (256M x 16) |
| संगठन | 256M x 16 | — |
| डेटा बस चौड़ाई | 16 bit | — |
| अधिकतम क्लॉक फ़्रीक्वेंसी | 933 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.35 V | 1.35V |
| पैकेज / केस | 96-FBGA (7.5x13.5) | — |
| माउंटिंग स्टाइल | Surface Mount | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | 0°C to +95°C (Tc) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Memory Format | DRAM | — |
| Technology | DDR3L | — |
| Supply Voltage - Min | 1.283 V | — |
| Supply Voltage - Max | 1.45 V | — |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| डेटा दर | — | 1866 MT/s |
| I/O Voltage | — | 1.35V |
| CAS लेटेंसी | — | 13 |
| tRCD | — | 20 ns |
| tRP | — | 20 ns |
| Burst Length | — | 8 |
| पैकेज | — | 96-FBGA (8x14mm) |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | 0°C to +95°C |
| माउंटिंग प्रकार | — | Surface Mount |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |