NT5CC256M16CP-DIB vs NT5CC256M16DP-DI तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना NT5CC256M16CP-DIB द्वारा Nanya Technology और NT5CC256M16DP-DI द्वारा Nanya Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Nanya Technology
NT5CC256M16CP-DIB - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya Technology
NT5CC256M16CP-DIB ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | NT5CC256M16CP-DIB | NT5CC256M16DP-DI |
|---|---|---|
| ब्रांड | Nanya Technology | Nanya Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4Gb |
| संगठन | 256M x 16 | 256M x 16 |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.35V | 1.35V |
| डेटा दर | 1600 Mbps (DDR3L-1600) | 1600 Mbps/pin (800MHz) |
| पैकेज | TFBGA-96 (9x13mm, 0.8mm pitch) | VFBGA-96 |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Internal Banks | 8 | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| CAS Latency (CL) | 5, 6, 7, 8, 9 | — |
| Write Latency (CWL) | 5, 6, 7, 8, 9 | — |
| Temperature Grade | Industrial (-40°C to +95°C) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| हैलोजन फ्री | Yes | — |
| Package Shape | Rectangular | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -40°C to +95°C (industrial) |
| CAS लेटेंसी | — | 11, 12, 13 (programmable) |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| Number of Banks | — | 8 |
| इंटरफ़ेस | — | Differential clock (CK, CK#) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| Lead-Free | — | Yes |