NT5CC256M16ER-EK vs NT5CC256M16CP-EK तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना NT5CC256M16ER-EK द्वारा Nanya Technology और NT5CC256M16CP-EK द्वारा Nanya Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Nanya Technology
NT5CC256M16CP-EK - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya Technology
NT5CC256M16CP-EK ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | NT5CC256M16ER-EK | NT5CC256M16CP-EK |
|---|---|---|
| ब्रांड | Nanya Technology | Nanya Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4Gb |
| संगठन | 256M x 16 | 256M x 16 |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.35 V | 1.35V (DDR3L) / 1.5V (DDR3) |
| डेटा दर | 933 MHz (DDR3L-1866) | 2133 Mb/s per pin |
| पैकेज | TFBGA-96 | 96-ball TFBGA |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0°C to +95°C | 0°C to +95°C (TC) |
| CAS लेटेंसी | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | 8 and 4 (with burst chop) |
| इंटरफ़ेस | Parallel | Differential clock (CK, CK#) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Number of Banks | — | 8 |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| CAS Latency (CL) | — | Programmable (e.g., 9, 10, 11, 12, 13) |
| Write Latency (CWL) | — | 5, 6, 7, 8, 9 |
| RoHS | — | Compliant |