SI8641AB-B-ISR vs SI8641AB-B-IS1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना SI8641AB-B-ISR द्वारा Skyworks Solutions और SI8641AB-B-IS1 द्वारा Skyworks Solutions. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Skyworks Solutions
SI8641AB-B-ISR - 2.5kV 4-Ch Digital Isolator, 1Mbps | Skyworks
SI8641AB-B-ISR ✓ सक्रियSkyworks Solutions
SI8641AB-B-IS1 - 4-Ch 1Mbps 2.5kV Digital Isolator | Skyworks
SI8641AB-B-IS1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | SI8641AB-B-ISR | SI8641AB-B-IS1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Skyworks Solutions | Skyworks Solutions |
| श्रेणी | Interface ICs | Interface ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Isolation Voltage | 2500 Vrms | — |
| Number of Channels | 4 | 4 |
| Channel Configuration | 3 Forward / 1 Reverse | 3 Forward / 1 Reverse |
| Maximum Data Rate | 1 Mbps | — |
| Common-Mode Transient Immunity (CMTI) | 35 kV/µs (minimum) | 35 kV/µs (minimum) |
| Supply Voltage Range (VDD1, VDD2) | 2.5 V to 5.5 V | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -40 °C to +125 °C | — |
| ESD Protection (HBM) | ±35 kV (per pin) | — |
| पैकेज | 16-SOIC (Wide Body, 0.295", 7.50 mm) | 16-SOIC (0.154", 3.90 mm width) |
| Propagation Delay (typical) | [DATA_NEEDED: ns] | — |
| Quiescent Current per Channel (typical) | [DATA_NEEDED: mA] | — |
| Creepage Clearance | 8 mm (minimum, wide-body SOIC) | — |
| Insulation Type | Reinforced (per IEC 60747-17) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL स्तर | 2A (4 weeks floor life) | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Packaging Type | Tape and Reel | — |
| Standard Quantity per Reel | 1250 | — |
| Automotive Qualified | No (industrial grade) | — |
| Isolation Rating | — | 2500 Vrms |
| डेटा दर | — | 1 Mbps |
| Propagation Delay (typ) | — | 35 ns |
| Supply Voltage (VDD) | — | 2.5 V to 5.5 V |
| Supply Voltage Range | — | 2.375 V to 5.5 V (extended, per datasheet) |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | -40 °C to +125 °C |
| Technology | — | CMOS capacitive isolation |