TLP183(GR) vs TLP182GB-TPL.E(T तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना TLP183(GR) द्वारा Toshiba और TLP182GB-TPL.E(T द्वारा Toshiba. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Toshiba
TLP183(GR) TLP183(GR) - 3750Vrms Phototransistor Optocoupler, SO6 | Toshiba

TLP183(GR) - 3750Vrms Phototransistor Optocoupler, SO6 | Toshiba

TLP183(GR) ✓ सक्रिय
Toshiba
TLP182GB-TPL.E(T TLP182GB-TPL.E(T - 3750Vrms AC Input Phototransistor Optocoupler | Toshiba

TLP182GB-TPL.E(T - 3750Vrms AC Input Phototransistor Optocoupler | Toshiba

TLP182GB-TPL.E(T ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर TLP183(GR) TLP182GB-TPL.E(T
ब्रांड Toshiba Toshiba
श्रेणी Optocouplers Optocouplers
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
आउटपुट प्रकार Phototransistor (DC input, transistor output) Phototransistor (NPN)
Number of Channels 1 1
Isolation Voltage 3750 Vrms (minimum) 3750 Vrms
Current Transfer Ratio (CTR) 50% minimum @ IF=0.5 mA, VCE=5 V (GR bin: 100-300% @ IF=5 mA) 50% min @ IF=5 mA, VCE=5 V
कलेक्टर-एमिटर वोल्टेज (Vceo) 80 V minimum 80 V
Emitter-Collector Voltage (VECO) 6 V minimum —
Collector Current 50 mA maximum —
Forward Current (IF) 50 mA maximum —
Forward Voltage (VF) [DATA_NEEDED: typical VF @ IF=10 mA] —
Switching Time (tR, tF) 2 us typical —
ऑपरेटिंग तापमान -55C to +125C —
पैकेज SO6 (4-pin surface mount) 4-Lead SO6 (SMD)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
MSL स्तर [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
CTR Bin GR —
Part Number — TLP182GB-TPL.E(T
Input Type — AC (dual antiparallel LEDs)
कलेक्टर करंट (Ic) — 50 mA
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCEsat) — 300 mV @ IC=2.4 mA, IF=8 mA
Turn-On Time (ton) — 2 us
Turn-Off Time (toff) — 3 us
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -55 degC to +125 degC
Input Forward Current (IF) — 50 mA max
Input Reverse Voltage (VR) — 5 V
Power Dissipation (PC) — 200 mW

डेटाशीट और संसाधन

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