1ED3124MC12HXUMA1 vs 1EDI20I12MFXUMA1 比較

詳細な並列比較: 1ED3124MC12HXUMA1 メーカー: Infineon および 1EDI20I12MFXUMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
1ED3124MC12HXUMA1 1ED3124MC12HXUMA1 - 14A Isolated Gate Driver, 5.7kV | Infineon

1ED3124MC12HXUMA1 - 14A Isolated Gate Driver, 5.7kV | Infineon

1ED3124MC12HXUMA1 ✓ 生産中
Infineon
1EDI20I12MFXUMA1 1EDI20I12MFXUMA1 - 1200V Isolated Gate Driver | Infineon

1EDI20I12MFXUMA1 - 1200V Isolated Gate Driver | Infineon

1EDI20I12MFXUMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ 1ED3124MC12HXUMA1 1EDI20I12MFXUMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.45 $1.84
Channel Type Single-channel —
Configuration High-side / Low-side (non-inverting) —
Number of Drivers 1 —
出力数 1 —
Peak Source Current 13.5 A —
Peak Sink Current 14 A —
Isolation Technology Magnetic coupling (coreless transformer) —
Isolation Voltage (RMS) 5.7 kV —
Transient Overvoltage 8000 Vpk —
Supply Voltage (VCC2) 10.5 V to 35 V —
Supply Current (Max) 1.1 mA —
Propagation Delay (Typ) 90 ns —
立ち上がり時間 15 ns —
立ち下がり時間 30 ns —
動作温度 -40 C to +125 C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
パッケージ PG-DSO-8 (DSO-8) PG-DSO-8-51 (8-pin DSO, 4 mm creepage)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Protections UVLO, Short-Circuit (DESAT) —
Target Devices IGBT, SiC MOSFET —
RoHS ステータス Compliant Compliant
機能 — Isolated single-channel high-side gate driver
Isolation Type — Galvanic (coreless transformer)
Number of Channels — 1
Output Current (Source/Sink) — 2 A peak
Active Miller Clamp Current — 2 A
Maximum Operating Voltage (Switch side) — 1200 V
Propagation Delay (typ.) — 300 ns
Input Logic — Inverting / Non-inverting
出力構成 — Single high-side driver
Minimum Creepage — 4 mm
Short Circuit Protection — Yes (clamping)
Supply Voltage (Secondary) — [DATA_NEEDED: secondary supply voltage range]
CMTI — [DATA_NEEDED: common-mode transient immunity]
UVLO — Yes (secondary side)

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼