AS4C512M16D4-75BIN vs MT40A512M16JY-07EAIT:B 比較

詳細な並列比較: AS4C512M16D4-75BIN メーカー: Alliance Memory および MT40A512M16JY-07EAIT:B メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BIN ✓ 生産中
Micron Technology
MT40A512M16JY-07EAIT:B MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-07EAIT:B ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ AS4C512M16D4-75BIN MT40A512M16JY-07EAIT:B
ブランド Alliance Memory Micron Technology
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $8.99 $8.10
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
メモリサイズ 8 Gbit 8 Gbit
Memory Organization 512M x 16 —
Clock Frequency 1.333 GHz 1.33 GHz
Access Time 18 ns —
Write Cycle Time 15 ns —
電源電圧 1.2 V —
パッケージ 96-FBGA (7.5x13) 96-FBGA (8x14)
動作温度 -40°C to +95°C —
実装タイプ Surface Mount —
インターフェース POD Parallel
データレート 2666 Mbps 2666 MT/s
ピン数 96 —
RoHS ステータス Compliant —
特長 Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration —
メモリ構成 — 512M x 16
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2V ±60mV
VPP Voltage — 2.5V, -125mV, +250mV
動作温度範囲 — -40°C to +105°C (AIT grade)
Refresh Time — 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C
I/O Type — 1.2V pseudo open-drain
VREFDQ — On-die, internal, adjustable
AEC-Q100 — Qualified (AIT suffix)
RoHS — Compliant

データシート&リソース

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