BFU520W vs BFU520R 比較

詳細な並列比較: BFU520W メーカー: NXP Semiconductors および BFU520R メーカー: NXP Semiconductors。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

NXP Semiconductors
BFU520W BFU520W - NPN 2GHz Low Noise RF Transistor | NXP

BFU520W - NPN 2GHz Low Noise RF Transistor | NXP

BFU520W ✓ 生産中
NXP Semiconductors
BFU520R BFU520R - NPN 12V 10.5GHz Wideband RF Transistor | NXP

BFU520R - NPN 12V 10.5GHz Wideband RF Transistor | NXP

BFU520R ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BFU520W BFU520R
ブランド NXP Semiconductors NXP Semiconductors
カテゴリ Transistors Transistors
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.08 $0.18
Polarity NPN —
Technology Silicon wideband RF BJT —
Application Frequency Range Up to 2 GHz —
パッケージ SOT323 (3-pin plastic) SOT-143B (4-pin, dual-emitter, plastic)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
AEC-Q101 Qualified —
Product Family NXP BFU5 family —
Primary Use Case High speed, low noise small-signal to medium power RF applications —
コレクタ-エミッタ間電圧(Vceo) [DATA_NEEDED: VCEO] 12 V
コレクタ-ベース間電圧(Vcbo) [DATA_NEEDED: VCBO] —
Continuous Collector Current (IC) [DATA_NEEDED: IC] —
Total Power Dissipation (Ptot) [DATA_NEEDED: Ptot] —
遷移周波数(ft) [DATA_NEEDED: fT] 10.5 GHz
Noise Figure (NF) [DATA_NEEDED: NF] —
DC Current Gain (hFE) [DATA_NEEDED: hFE] —
動作温度範囲 [DATA_NEEDED: TJ range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
トランジスタタイプ — NPN wideband silicon RF BJT
Collector Current (IC max) — 30 mA
Total Power Dissipation — 450 mW
Frequency Range — up to 2 GHz application range
Noise Performance — Low noise, high breakdown
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Family — BFU5 (BFU5x wideband silicon RF transistors)
Configuration — Single NPN, dual-emitter
Application Class — Small signal to medium power
RoHS ステータス — [DATA_NEEDED: RoHS status]
Noise Figure — [DATA_NEEDED: noise figure in dB]
Gain — [DATA_NEEDED: gain]

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼