BSC019N06NSATMA1 vs BSC019N04LSTATMA1 比較

詳細な並列比較: BSC019N06NSATMA1 メーカー: Infineon および BSC019N04LSTATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSC019N06NSATMA1 BSC019N06NSATMA1 - 60V 100A 1.95mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC019N06NSATMA1 - 60V 100A 1.95mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC019N06NSATMA1 ✓ 生産中
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BSC019N04LSTATMA1 BSC019N04LSTATMA1 - 40V N-Ch OptiMOS 5 Power MOSFET | Infineon

BSC019N04LSTATMA1 - 40V N-Ch OptiMOS 5 Power MOSFET | Infineon

BSC019N04LSTATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSC019N06NSATMA1 BSC019N04LSTATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.92 $1.21
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSC019N06NSATMA1 —
Technology / Family OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulse rating] [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
On-State Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V 1.95 mΩ (typ) —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) Typ 3.3 V —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 136 W —
動作温度範囲 -55C to +150C (junction) -55 C to +150 C
パッケージ PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSLレベル 1 1 (unlimited)
Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Avalanche Rated Yes Yes
Technology — OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 161 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 28 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.9 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 1.7 V
Total Gate Charge Qg typ — 85 nC
Power Dissipation PD (Tc=25C) — 94 W
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes

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