BSC021N08NS5ATMA1 vs BSC0504NSIATMA1 比較

詳細な並列比較: BSC021N08NS5ATMA1 メーカー: Infineon および BSC0504NSIATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSC021N08NS5ATMA1 BSC021N08NS5ATMA1 - 80V 226A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC021N08NS5ATMA1 - 80V 226A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC021N08NS5ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSC021N08NS5ATMA1 BSC0504NSIATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.81 $0.00
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSC021N08NS5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench) —
Drain-Source Voltage (V_DS max) 80 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25°C) 226 A —
Continuous Drain Current (I_D, Tc=100°C) 100 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10 V) 2.1 mΩ —
Gate-Source Voltage V_GS max ±20 V —
Power Dissipation P_D (Tc=25°C) 214 W —
動作接合温度 -55 °C to +175 °C —
パッケージ SuperSO8 5x6 (PG-TSON-8-3) PG-TDSON-8-6
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Total Gate Charge Q_G typ [DATA_NEEDED: total gate charge] —
R_thJC thermal resistance max [DATA_NEEDED: R_thJC] —
RoHS ステータス Compliant (Pb-free) unknown
MSLレベル MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
Delivery Form Tape & Reel (T&R) —
トランジスタタイプ — N-channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage — 30 V
Continuous Drain Current at Ta — 21 A
Continuous Drain Current at Tc — 72 A
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 30 W
Technology Family — OptiMOS 5
ピン数 — 8 pins
Exposed Pad — Yes, according to distributor package description
On-State Resistance — [DATA_NEEDED: on-state resistance]
Gate Charge — [DATA_NEEDED: gate charge]
ゲートしきい値電圧 — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
熱抵抗 — [DATA_NEEDED: thermal resistance]
動作温度範囲 — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
AEC-Q100 Qualification — [DATA_NEEDED: AEC-Q100 qualification]
Lead-Free Status — unknown
Halogen-Free Status — unknown
REACH Status — unknown

データシート&リソース

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