BSC030N03LSGATMA1 vs BSC020N03LSGATMA1 比較

詳細な並列比較: BSC030N03LSGATMA1 メーカー: Infineon および BSC020N03LSGATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSC030N03LSGATMA1 BSC030N03LSGATMA1 - 30V 100A 3mOhm OptiMOS 3 N-FET | Infineon

BSC030N03LSGATMA1 - 30V 100A 3mOhm OptiMOS 3 N-FET | Infineon

BSC030N03LSGATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSC030N03LSGATMA1 BSC020N03LSGATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.38 $0.42
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 OptiMOS 3
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C 100 A —
Continuous Drain Current (Id) @ Ta=25C 23 A —
RDS(on) Max @ VGS=10V 3 mOhm —
RDS(on) Max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate Threshold Voltage (Vgs th) Typ 2.2 V —
Gate Charge (Qg) Typ @ VGS=15V 55 nC —
Output Charge (Qoss) 66 pF —
Input Capacitance (Ciss) Typ 4.3 nF —
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C 2.5 W —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C 69 W —
動作接合温度 -55C to +150C —
パッケージ PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
RoHS ステータス Compliant Compliant
MSLレベル 1 1 (per JEDEC J-STD-020, per Infineon datasheet)
Avalanche Rated Yes (100% tested) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 28 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1 V to 2.2 V (typical range, per datasheet)
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — approximately 2.0 mOhm
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 96 W
動作温度範囲 — -55 C to +150 C (junction)
パッケージ / ケース — PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 5 mm x 6 mm)
Packaging — Tape & Reel

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