BSC030N03MSGATMA1 vs BSC034N06NSATMA1 比較

詳細な並列比較: BSC030N03MSGATMA1 メーカー: Infineon および BSC034N06NSATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSC030N03MSGATMA1 BSC030N03MSGATMA1 - 30V N-Ch MOSFET, 3mΩ OptiMOS | Infineon

BSC030N03MSGATMA1 - 30V N-Ch MOSFET, 3mΩ OptiMOS | Infineon

BSC030N03MSGATMA1 ✓ 生産中
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BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 - 60V 100A 3.4mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC034N06NSATMA1 - 60V 100A 3.4mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC034N06NSATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSC030N03MSGATMA1 BSC034N06NSATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.43 $0.65
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 3M —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 21 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 100 A —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 3.0 mΩ (typical at VGS=10V) —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc=25°C 69 W —
動作接合温度 -55°C to +150°C —
パッケージ PG-TDSON-8-1 (SuperSO8, 8-pin, exposed pad) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
RoHS ステータス Compliant Compliant
Drive Voltage (Min/Max RDS(on)) 4.5V / 10V —
Status Active —
Polarity — N-Channel
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 3.4 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg]
Power Dissipation at Ta=25C — 2.5 W
Power Dissipation at Tc=25C — 74 W
動作温度範囲 — -55C to +150C
MSLレベル — [DATA_NEEDED: MSL level]

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