BSC050NE2LSATMA1 vs BSC052N08NS5ATMA1 比較

詳細な並列比較: BSC050NE2LSATMA1 メーカー: Infineon および BSC052N08NS5ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSC050NE2LSATMA1 BSC050NE2LSATMA1 - 25V 58A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSC050NE2LSATMA1 - 25V 58A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSC050NE2LSATMA1 ✓ 生産中
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BSC052N08NS5ATMA1 BSC052N08NS5ATMA1 - 80V 95A 5.2mΩ OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC052N08NS5ATMA1 - 80V 95A 5.2mΩ OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC052N08NS5ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSC050NE2LSATMA1 BSC052N08NS5ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.36 $0.52
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 25 V —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=25C 58 A —
Continuous Drain Current (I_D) at Ta=25C 39 A —
R_DS(on) max at V_GS=10V 5 mOhm —
R_DS(on) typical at V_GS=10V 4.2 mOhm —
Gate-Source Voltage (V_GS) max [DATA_NEEDED: V_GS max rating] —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] —
Power Dissipation at Ta=25C 2.5 W —
Power Dissipation at Tc=25C 28 W —
Technology OptiMOS 25V (trench) OptiMOS 5
パッケージ PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度範囲 -55C to +150C —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC052N08NS5ATMA1
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 95 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 5.2 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.5-3.0 V
Total Power Dissipation (Tc) — 83 W
Total Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
動作接合温度 — -55C to +150C
MSLレベル — 1 (unlimited)

データシート&リソース

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