BSC084P03NS3GATMA1 vs BSZ0901NSIATMA1 比較

詳細な並列比較: BSC084P03NS3GATMA1 メーカー: Infineon および BSZ0901NSIATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSC084P03NS3GATMA1 BSC084P03NS3GATMA1 - P-Ch 30V 78.6A OptiMOS P3 MOSFET | Infineon

BSC084P03NS3GATMA1 - P-Ch 30V 78.6A OptiMOS P3 MOSFET | Infineon

BSC084P03NS3GATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSC084P03NS3GATMA1 BSZ0901NSIATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.24 $0.34
Polarity / Channel Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V 30 V
Continuous Drain Current (Ta) 14.9 A —
Continuous Drain Current (Tc) 78.6 A —
Rds(on) max @ VGS = -10 V 6.1 mOhm —
Rds(on) max @ VGS = -2.5 V [DATA_NEEDED: Rds(on) at 2.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) -1.7 V —
Total Gate Charge (Qg) 58 nC @ VGS = -10 V [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Input Capacitance (Ciss) 3.19 nF —
Output Capacitance (Coss) 110 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 1.52 nF —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 69 W —
動作温度範囲 -55C to +150C -55 C to +150 C (typical MOSFET range)
パッケージ PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6) PG-TSDSON-8-FL (TSDSON EP, 3.3 mm x 3.3 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Technology Family OptiMOS P3 —
RoHS ステータス Compliant Compliant
MSLレベル 1 (unlimited) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSZ0901NSIATMA1
Series — OptiMOS 25V
Technology — OptiMOS trench N-channel MOSFET
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 25 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 40 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 2.1 W
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 69 W
ピン数 — 8
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=4.5V]
Packaging — Tape & Reel (ATMA1 suffix = 13-inch reel)

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