BSC0902NSATMA1 vs BSC016N06NSATMA1 比較

詳細な並列比較: BSC0902NSATMA1 メーカー: Infineon および BSC016N06NSATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
BSC016N06NSATMA1 BSC016N06NSATMA1 - 60V 100A 1.6mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC016N06NSATMA1 - 60V 100A 1.6mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC016N06NSATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSC0902NSATMA1 BSC016N06NSATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.78 $0.65
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 60 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) 24 A —
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) 100 A —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 48 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
RDS(on) @ VGS=10V max [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
RDS(on) @ VGS=4.5V max [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Total Gate Charge (Qg typ) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
動作温度範囲 -55C to +150C (Tj) -55 °C to +150 °C
パッケージ PG-TDSON-8-6 (SuperSO8) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Qualification JEDEC qualified for target applications —
RoHS Compliance Compliant (Pb-free lead plating) —
ハロゲンフリー Yes, per IEC 61249-2-21 —
Avalanche Rated Yes (100% avalanche tested) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Series — OptiMOS™ 5 60V
Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 100 A
Continuous Drain Current (ID, TA) — 30 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.6 mΩ
Total Gate Charge (Qg) — 71 nC
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Power Dissipation (TA) — 2.5 W
Power Dissipation (TC) — 139 W
MSLレベル — 1 (unlimited)
RoHS ステータス — Compliant
Gate Drive (recommended) — 10 V
Technology — OptiMOS™ 5

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