BSC094N06LS5ATMA1 vs BSC0901NSATMA1 比較

詳細な並列比較: BSC094N06LS5ATMA1 メーカー: Infineon および BSC0901NSATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ BSC094N06LS5ATMA1 BSC0901NSATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.38 $0.78
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC094N06LS5ATMA1 —
Technology OptiMOS™ 5 (logic-level) N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS)
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 47 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
RDS(on) max at VGS=10 V 9.4 mΩ —
RDS(on) max at VGS=4.5 V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 36 W —
動作接合温度 -55 °C to +150 °C —
パッケージ PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6) TDSON-8-5 (PG-TDSON-8-5) / SuperSO8 5x6 mm
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
RoHS ステータス Compliant Compliant
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL level] —
Part Family — OptiMOS 30V
Drain-to-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 28 A
On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 1.9 mOhm
On-State Resistance RDS(on) Typ at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) typical]
Gate Charge (Qg) Typ — [DATA_NEEDED: Qg total]
Avalanche Energy (EAS) — 80 mJ
Power Dissipation (PD) at Tc — 69 W
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
動作温度範囲 — -55C to +150C
湿気感度レベル(MSL) — 1
Built-in Body Diode — Yes
Configuration — Single N-Channel with Built-in Diode

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼