BSC190N15NS3GATMA1 vs BSC098N10NS5ATMA1 比較

詳細な並列比較: BSC190N15NS3GATMA1 メーカー: Infineon および BSC098N10NS5ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ BSC190N15NS3GATMA1 BSC098N10NS5ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.98 $0.55
Technology OptiMOS 3 (N-Channel) OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 50 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: IDM]
Gate-Source Voltage (VGS) max 20 V [DATA_NEEDED: VGS max +/-]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.5 V to 3.5 V [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 19 mOhm —
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at 10V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] [DATA_NEEDED: Qg]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 125 W —
動作温度範囲 -55 C to +150 C [DATA_NEEDED: Tj min/max]
パッケージ PG-TDSON-8-1 (TDSON-8 EP) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
RoHS ステータス Compliant Compliant
MSLレベル 1 1
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 60 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — [DATA_NEEDED: ID Ta-rated value]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 9.8 mOhm
Power Dissipation (Tc=25C) — 69 W
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Diode Continuous Forward Current (IS) — 63 A (Tc=25C)
Diode Pulse Current (IS,pulse) — 240 A (Tc=25C)
Diode Forward Voltage (VSD) typ — 0.9 V (IF=30 A, Tj=25C)
Diode Forward Voltage (VSD) max — 1.1 V (IF=30 A, Tj=25C)
Shipping Packaging — Tape & Reel (T/R)

データシート&リソース

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