BSC340N08NS3GATMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 比較

詳細な並列比較: BSC340N08NS3GATMA1 メーカー: Infineon および ISC015N06NM5ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 - 80V 23A N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC340N08NS3GATMA1 - 80V 23A N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC340N08NS3GATMA1 ✓ 生産中
Infineon
ISC015N06NM5ATMA1 ISC015N06NM5ATMA1 - 60V 1.5mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC015N06NM5ATMA1 - 60V 1.5mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC015N06NM5ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSC340N08NS3GATMA1 ISC015N06NM5ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.81 $0.62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC340N08NS3GATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-Channel Trench) Trench MOSFET (OptiMOS 5)
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 23 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 7 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 92 A —
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 34 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Gate-Source Voltage VGS max +/- 20 V —
Power Dissipation (Tc) 32 W —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
動作温度範囲 -55C to +150C -55 C to +175 C
パッケージ PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSLレベル 1 —
RoHS / Lead-Free RoHS compliant, lead-free —
Channel Type Single N-Channel —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Avalanche Rating Repetitive avalanche rated —
Product Family — OptiMOS 5
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C — 259 A
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V — 1.5 mOhm
Total Power Dissipation (TA) — 3 W
Total Power Dissipation (TC) — 188 W
RoHS ステータス — Compliant
MSL (Moisture Sensitivity Level) — 1

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼