BSL316CH6327XTSA1 vs BSS806NEH6327XTSA1 比較
詳細な並列比較: BSL316CH6327XTSA1 メーカー: Infineon および BSS806NEH6327XTSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | BSL316CH6327XTSA1 | BSS806NEH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $0.22 | $0.14 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS small-signal complementary MOSFET | — |
| Configuration | Complementary pair (1 N-channel + 1 P-channel in one package) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 20 V (maximum) |
| Continuous Drain Current (N-channel ID) | 1.4 A | — |
| Continuous Drain Current (P-channel ID) | 1.5 A | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) | 500 mW | — |
| パッケージ | PG-TSOP6-6 (TSOP6, 6-pin) | PG-SOT23 (SOT-23-3) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| 動作温度 | -55C to +150C (junction) | — |
| Technology | OptiMOS low-voltage MOSFET | — |
| Channel Type | N-channel + P-channel (dual) | — |
| ピン数 | 6 | 3 (Gate, Drain, Source) |
| RoHS ステータス | Compliant | — |
| MSLレベル | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V/4.5V] | — |
| Part Number | — | BSS806NEH6327XTSA1 |
| トランジスタタイプ | — | N-Channel MOSFET |
| Mode of Operation | — | Enhancement-mode |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 2.3 A (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | — | 500 mW (Ta) |
| On-Resistance RDS(on) | — | 57 mOhm (maximum) |
| Lead Plating | — | Pb-free |
| RoHS Compliance | — | Yes (compliant) |
| AEC-Q101 Qualification | — | Qualified (automotive grade) |
| 動作温度範囲 | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |