BSO220N03MDGXUMA1 vs BSC0502NSIATMA1 比較

詳細な並列比較: BSO220N03MDGXUMA1 メーカー: Infineon および BSC0502NSIATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 - 30V Dual N-Ch MOSFET 7.7A | Infineon

BSO220N03MDGXUMA1 - 30V Dual N-Ch MOSFET 7.7A | Infineon

BSO220N03MDGXUMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSO220N03MDGXUMA1 BSC0502NSIATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.24 $0.85
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS™ 3M —
Configuration Dual N-Channel (2N-CH), independent —
Drain-Source Voltage (V_DS) 30 V —
Continuous Drain Current (I_D) 7.7 A —
On-State Resistance (R_DS(on)) 22 mΩ max @ V_GS=10V —
Gate-Source Voltage (V_GS) [DATA_NEEDED: V_GS max rating] —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge (Q_G) [DATA_NEEDED: Q_G nC] —
Power Dissipation (P_D) 1.4 W —
動作温度範囲 -55C to +150C (junction) -55C to +150C
パッケージ PG-DSO-8 (SO-8 with exposed pad) PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSLレベル 1 (unlimited) —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Technology OptiMOS™ 3M (Trench MOSFET) OptiMOS 5 (Trench MOSFET)
Avalanche Rated Yes —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 100 A
Continuous Drain Current (ID) at TA — 26 A
RDS(on) Max at VGS=10V — 2.3 mOhm
Gate Charge QG (0V to 4.5V) Typ — 9.0 nC
Output Charge QOSS Typ — 13.5 nC
Power Dissipation at TA (Ta=25C) — 2.5 W
Power Dissipation at TC (Tc=25C) — 43 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]

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