BSS123NH6327XTSA1 vs BSS119NH6327XTSA1 比較

詳細な並列比較: BSS123NH6327XTSA1 メーカー: Infineon および BSS119NH6327XTSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA | Infineon

BSS123NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA | Infineon

BSS123NH6327XTSA1 ✓ 生産中
Infineon
BSS119NH6327XTSA1 BSS119NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA, SOT-23 | Infineon

BSS119NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA, SOT-23 | Infineon

BSS119NH6327XTSA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSS123NH6327XTSA1 BSS119NH6327XTSA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.09 $0.12
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSS123NH6327XTSA1 —
Part Status Active —
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) 190 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) —
RDS(on) Max 6 Ω @ VGS = 10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical and max VGS(th)] 0.8 V to 1.8 V (typical) [DATA_NEEDED: exact min/typ/max]
Gate-Source Voltage Max (VGS) ±20 V —
パッケージ PG-SOT23 (SOT-23-3) PG-SOT23 (SOT-23-3)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度範囲 -55 °C to +150 °C (junction) -55°C to +150°C (TJ) [DATA_NEEDED: TA range from datasheet]
Qualification AEC-Q101 (automotive) AEC-Q101 (automotive grade)
RoHS Compliance Yes (Pb-free lead plating) —
MSLレベル 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 [DATA_NEEDED: confirm from datasheet]
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
FET Technology — Enhancement-mode, planar N-channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 190 mA
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 500 mW
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 6 Ω (typical) [DATA_NEEDED: exact VGS condition and max value]
Gate Drive Voltage (VGS) — ±20 V max
RoHS ステータス — Compliant
Lead-Free — Yes
Packaging — Tape & Reel (3,000 pcs/reel)

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