BSS308PEH6327XTSA1 vs BSS316NH6327XTSA1 比較

詳細な並列比較: BSS308PEH6327XTSA1 メーカー: Infineon および BSS316NH6327XTSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327XTSA1 - 30V N-Ch 1.4A OptiMOS 2 MOSFET | Infineon

BSS316NH6327XTSA1 - 30V N-Ch 1.4A OptiMOS 2 MOSFET | Infineon

BSS316NH6327XTSA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSS308PEH6327XTSA1 BSS316NH6327XTSA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.11 $0.13
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS P (small signal / small power MOSFET) —
トランジスタタイプ P-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) -2 A (Ta) —
RDS(on) Max 80 mΩ at VGS = -10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max +/-20 V —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) —
動作温度範囲 -55 °C to +150 °C —
パッケージ / ケース PG-SOT23 (SOT-23-3) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 3 —
Qualification AEC-Q101 Automotive —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel (T/R) —
Standard Reel Quantity 3000 pcs —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
Technology — OptiMOS 2 (Trench)
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 1.4 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max — 160 mOhm at VGS=10V, ID=1.4A
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ — 2 V at ID=3.7 uA
Total Gate Charge (Qg) — 600 pC at VGS=5 V
Input Capacitance (Ciss) — 94 pF at VDS=15 V
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: output capacitance]
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — [DATA_NEEDED: reverse transfer capacitance]
Maximum Power Dissipation (PD) at TA=25C — 500 mW
動作接合温度範囲 — -55 C to +150 C
パッケージ — PG-SOT23 (SOT-23-3)
Lead Plating — Pb-free (Matte Tin)
MSLレベル — MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified

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