BSZ036NE2LSATMA1 vs BSC034N06NSATMA1 比較

詳細な並列比較: BSZ036NE2LSATMA1 メーカー: Infineon および BSC034N06NSATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 - 60V 100A 3.4mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC034N06NSATMA1 - 60V 100A 3.4mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC034N06NSATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSZ036NE2LSATMA1 BSC034N06NSATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.42 $0.65
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 25V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 16 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 40 A 100 A
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.1 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 37 W —
パッケージ PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Configuration Single —
動作温度範囲 -55C to +150C -55C to +150C
MSLレベル 1 (Unlimited) [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Gate Drive Logic-level compatible —
Polarity — N-Channel
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 3.4 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg]
Power Dissipation at Ta=25C — 2.5 W
Power Dissipation at Tc=25C — 74 W
Technology — OptiMOS 5

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