BSZ065N06LS5ATMA1 vs BSZ096N10LS5ATMA1 比較

詳細な並列比較: BSZ065N06LS5ATMA1 メーカー: Infineon および BSZ096N10LS5ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSZ065N06LS5ATMA1 BSZ065N06LS5ATMA1 - 60V 65A OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

BSZ065N06LS5ATMA1 - 60V 65A OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

BSZ065N06LS5ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSZ065N06LS5ATMA1 BSZ096N10LS5ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.62 $0.94
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS™ 5 —
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS™ 5 logic-level OptiMOS 5 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) Max 60 V —
Continuous Drain Current (ID) Max 65 A —
Drain Current @ Tc (ID, Tc=25°C) 40 A —
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V 6.5 mΩ —
Power Dissipation (PD) Max 46 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.3 V —
Total Gate Charge (Qg) 13 nC @ VGS=4.5 V —
Input Capacitance (Ciss) 1.8 nF —
動作温度範囲 -55°C to +150°C -55 °C to +150 °C (junction)
パッケージ PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3) PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
RoHS ステータス Compliant Compliant
Product Family — OptiMOS 5
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS max) — 100 V
Gate-Source Voltage (VGS max) — 20 V (typical)
Continuous Drain Current (ID, TC=25 °C) — 40 A
Maximum Silicon Drain Current (ID max) — 62 A
Pulse Drain Current (ID,pulse) — 160 A
On-Resistance RDS(on) max — 9.6 mΩ at VGS=10 V
Total Power Dissipation (Ptot, TC=25 °C) — 69 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) — Logic-level (low single-volt range)
Diode Continuous Forward Current (IS) — 40 A (TC=25 °C)
Diode Forward Voltage (VSD) — 0.85 V typ, 1.2 V max at IF=20 A
Gate Drive — Logic-level compatible
ESD Protection — Yes (gate-integrated)
Packaging Code — ATMA1 (tape and reel)

データシート&リソース

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