BSZ0901NSIATMA1 vs BSC019N08NS5ATMA1 比較

詳細な並列比較: BSZ0901NSIATMA1 メーカー: Infineon および BSC019N08NS5ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
BSC019N08NS5ATMA1 BSC019N08NS5ATMA1 - 80V 237A 1.9mOhm OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC019N08NS5ATMA1 - 80V 237A 1.9mOhm OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC019N08NS5ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSZ0901NSIATMA1 BSC019N08NS5ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.34 $1.78
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSZ0901NSIATMA1 —
Series OptiMOS 25V —
Technology OptiMOS trench N-channel MOSFET OptiMOS 5 (N-channel trench)
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 25 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 40 A —
Power Dissipation (PD) at Ta=25C 2.1 W —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 69 W —
パッケージ PG-TSDSON-8-FL (TSDSON EP, 3.3 mm x 3.3 mm) PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 8 —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=4.5V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] —
動作温度範囲 -55 C to +150 C (typical MOSFET range) -55 C to +150 C
Packaging Tape & Reel (ATMA1 suffix = 13-inch reel) —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — 80 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 28 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 237 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 1.9 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.0 V
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Power Dissipation (TA=25C) — 3 W
Power Dissipation (TC=25C) — 214 W
MSLレベル — 1
Avalanche Rated — Yes

データシート&リソース

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