BSZ0901NSIATMA1 vs BSC084P03NS3GATMA1 比較

詳細な並列比較: BSZ0901NSIATMA1 メーカー: Infineon および BSC084P03NS3GATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSC084P03NS3GATMA1 BSC084P03NS3GATMA1 - P-Ch 30V 78.6A OptiMOS P3 MOSFET | Infineon

BSC084P03NS3GATMA1 - P-Ch 30V 78.6A OptiMOS P3 MOSFET | Infineon

BSC084P03NS3GATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSZ0901NSIATMA1 BSC084P03NS3GATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.34 $0.24
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSZ0901NSIATMA1 —
Series OptiMOS 25V —
Technology OptiMOS trench N-channel MOSFET —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V -30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 25 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 40 A —
Power Dissipation (PD) at Ta=25C 2.1 W —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 69 W —
パッケージ PG-TSDSON-8-FL (TSDSON EP, 3.3 mm x 3.3 mm) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 8 —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=4.5V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] 58 nC @ VGS = -10 V
動作温度範囲 -55 C to +150 C (typical MOSFET range) -55C to +150C
Packaging Tape & Reel (ATMA1 suffix = 13-inch reel) —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Polarity / Channel Type — P-Channel
Continuous Drain Current (Ta) — 14.9 A
Continuous Drain Current (Tc) — 78.6 A
Rds(on) max @ VGS = -10 V — 6.1 mOhm
Rds(on) max @ VGS = -2.5 V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at 2.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — -1.7 V
Input Capacitance (Ciss) — 3.19 nF
Output Capacitance (Coss) — 110 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 1.52 nF
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 69 W
Technology Family — OptiMOS P3
MSLレベル — 1 (unlimited)

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