CY14V104LA vs CY14V104LA-BA25XI 比較

詳細な並列比較: CY14V104LA メーカー: Infineon および CY14V104LA-BA25XI メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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CY14V104LA-BA25XI CY14V104LA-BA25XI - 4Mbit nvSRAM 25ns FBGA-48 | Infineon

CY14V104LA-BA25XI - 4Mbit nvSRAM 25ns FBGA-48 | Infineon

CY14V104LA-BA25XI ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ CY14V104LA CY14V104LA-BA25XI
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $10.85 $0.72
Density 4 Mbit (512 K x 8 / 256 K x 16) —
メモリタイプ Non-Volatile SRAM (nvSRAM) nvSRAM (Non-Volatile SRAM)
Operating Voltage 3.3 V (3.0 V min, 3.6 V max) —
Access Time 25 ns (BA25) or 45 ns (BA45) 25 ns
インターフェース Parallel (asynchronous SRAM-compatible) Parallel
Bus Width x8 / x16 selectable (BYTE pin) —
パッケージ 48-FBGA (6 x 10 x 1.20 mm) 48-FBGA (6 x 10 mm, 1.20 mm height)
動作温度 -40 C to +85 C (industrial) -40C to +85C
STORE Time (typical) [DATA_NEEDED: STORE time in ms] —
RECALL Time (typical) [DATA_NEEDED: RECALL time in ms] —
Active Supply Current (Icc) [DATA_NEEDED: Icc active mA] —
Standby Current (Isb) [DATA_NEEDED: Isb uA] —
Hardware STORE Pin HSB (active low) —
Auto STORE on VCC Drop Yes (integrated VCc monitor) —
Read/Write Endurance Unlimited (SRAM side) —
Data Retention [DATA_NEEDED: retention years] 20 years
RoHS ステータス Compliant Compliant
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
メモリサイズ — 4 Mbit
メモリ構成 — 512K x 8 / 256K x 16
電源電圧 — 3 V (typical 3.3 V)
STORE Cycle Endurance — 1,000,000 cycles minimum
SRAM Read/Write Endurance — Unlimited (infinite SRAM cycles)
Address Bus (x8 mode) — A0 to A18
Address Bus (x16 mode) — A0 to A17 with BHE/BLE byte enables
Non-Volatile Functions — Automatic STORE on power-down, RECALL on power-up, software STORE/RECALL, HSB pin
Grade — Industrial

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