H5AN4G8NBJR-VKC vs H5AN4G8NBJR-VKI 比較

詳細な並列比較: H5AN4G8NBJR-VKC メーカー: SK hynix および H5AN4G8NBJR-VKI メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKC H5AN4G8NBJR-VKC - 4Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKC - 4Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKC ✓ 生産中
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H5AN4G8NBJR-VKI H5AN4G8NBJR-VKI - 4Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKI - 4Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKI ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5AN4G8NBJR-VKC H5AN4G8NBJR-VKI
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.40 $1.98
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
メモリサイズ 4 Gb —
Memory Organization 512M x8 —
データレート 2666 Mbps (DDR4-2666) 2666 Mbps
Memory Interface Parallel —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
パッケージ FBGA-78 (7.5 x 11 mm) FBGA-78
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Technology CMOS DRAM —
Volatile / Non-Volatile Volatile —
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: Operating Temperature]
CASレイテンシ [DATA_NEEDED: CAS latency for 2666 grade] [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate] [DATA_NEEDED: Refresh specification]
RoHS ステータス Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per datasheet) [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Packaging Tray —
ライフサイクル状態 Active —
Density — 4 Gb
メモリ構成 — 512M x 8
電源電圧 — 1.2 V
I/O Voltage — 1.2 V (SSTL12)
Speed Grade — V (2666)
Temperature Grade — Industrial (I suffix)
Architecture — CMOS, 8n prefetch, bank groups
Termination — On-Die Termination (ODT)
DBI Support — Yes (Data Bus Inversion / DM)

データシート&リソース

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