H5AN8G4NAFR-RDC vs H5AN8G4NAFR-PBC 比較

詳細な並列比較: H5AN8G4NAFR-RDC メーカー: SK hynix および H5AN8G4NAFR-PBC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5AN8G4NAFR-RDC H5AN8G4NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x4 1.2V | SK hynix

H5AN8G4NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x4 1.2V | SK hynix

H5AN8G4NAFR-RDC ✓ 生産中
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H5AN8G4NAFR-PBC H5AN8G4NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM 1.2V | SK hynix

H5AN8G4NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM 1.2V | SK hynix

H5AN8G4NAFR-PBC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5AN8G4NAFR-RDC H5AN8G4NAFR-PBC
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs DRAM
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.30 $3.55
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8Gb 8 Gb
メモリ構成 1G x 4 2Gb x 4
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
パッケージ FBGA-78 78-ball FBGA
Data Rate Class [DATA_NEEDED: exact -RDC speed bin MT/s] —
CAS Latency (CL) [DATA_NEEDED: CL for -RDC bin] —
インターフェース Synchronous, differential clock CK_t/CK_c —
Bank Architecture DDR4 bank-group architecture —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
RoHS ステータス Compliant (Lead-Free) Compliant
ハロゲンフリー Yes —
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Refresh Self-refresh and auto-refresh per DDR4 SDRAM standard —
Manufacturer SK hynix —
Datasheet Revision Rev. 1.2 / Jul. 2017 —
Interface Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2 V +/- 0.06 V
Wordline Pump Voltage (VPP) — 2.5 V (+0.25/-0.125 V)
Speed Bins (per datasheet) — DDR4-1600 / 1866 / 2133 / 2400 (DLL ON)
Bank Groups — 4 (BG0-BG1)
Banks — 16 (4 bank groups x 4 banks)
Row Address — A0-A16 (17 bits)
Technology — CMOS
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (RoHS Compliant per datasheet)
動作温度範囲 — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
CASレイテンシ — [DATA_NEEDED: CL for PBC speed bin]
Geardown Mode Note — DDR4-1600/1866/2133/2400 bins valid only when Geardown Mode is disabled

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