H5AN8G8NAFR-PBC vs H5AN8G4NAFR-PBC 比較

詳細な並列比較: H5AN8G8NAFR-PBC メーカー: SK hynix および H5AN8G4NAFR-PBC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5AN8G8NAFR-PBC H5AN8G8NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 1.2V | SK hynix

H5AN8G8NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 1.2V | SK hynix

H5AN8G8NAFR-PBC ✓ 生産中
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H5AN8G4NAFR-PBC H5AN8G4NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM 1.2V | SK hynix

H5AN8G4NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM 1.2V | SK hynix

H5AN8G4NAFR-PBC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5AN8G8NAFR-PBC H5AN8G4NAFR-PBC
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ DRAM DRAM
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.20 $3.55
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
メモリ構成 1G x 8 2Gb x 4
電源電圧 1.2 V —
パッケージ FBGA-78 78-ball FBGA
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Speed Grade / Data Rate [DATA_NEEDED: speed grade / data rate] —
インターフェース DDR4 (double data rate, synchronized to clock) —
Address Inputs A0 - A17 (A10/AP, A12/BC_n, RAS_n/A16, CAS_n/A15, WE_n/A14 multiplexed) —
Connectivity Test Mode TEN (optional input on x4/x8, required on x16) —
Process Technology CMOS —
Lead-Free Yes —
ハロゲンフリー Yes —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Datasheet Revision Rev. 1.2 / July 2017 —
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Interface Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2 V +/- 0.06 V
Wordline Pump Voltage (VPP) — 2.5 V (+0.25/-0.125 V)
Speed Bins (per datasheet) — DDR4-1600 / 1866 / 2133 / 2400 (DLL ON)
Bank Groups — 4 (BG0-BG1)
Banks — 16 (4 bank groups x 4 banks)
Row Address — A0-A16 (17 bits)
Technology — CMOS
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (RoHS Compliant per datasheet)
動作温度範囲 — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
CASレイテンシ — [DATA_NEEDED: CL for PBC speed bin]
Geardown Mode Note — DDR4-1600/1866/2133/2400 bins valid only when Geardown Mode is disabled

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