H5AN8G8NAFR-PBC vs MT40A1G8AG-062E 比較

詳細な並列比較: H5AN8G8NAFR-PBC メーカー: SK hynix および MT40A1G8AG-062E メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5AN8G8NAFR-PBC H5AN8G8NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 1.2V | SK hynix

H5AN8G8NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 1.2V | SK hynix

H5AN8G8NAFR-PBC ✓ 生産中
Micron Technology
MT40A1G8AG-062E MT40A1G8AG-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mb/s x8 | Micron

MT40A1G8AG-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mb/s x8 | Micron

MT40A1G8AG-062E ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5AN8G8NAFR-PBC MT40A1G8AG-062E
ブランド SK hynix Micron Technology
カテゴリ DRAM Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.20 $3.10
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb —
メモリ構成 1G x 8 1G x 8
電源電圧 1.2 V —
パッケージ FBGA-78 78-FBGA (7.5 x 11 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount (BGA)
Speed Grade / Data Rate [DATA_NEEDED: speed grade / data rate] —
インターフェース DDR4 (double data rate, synchronized to clock) Parallel
Address Inputs A0 - A17 (A10/AP, A12/BC_n, RAS_n/A16, CAS_n/A15, WE_n/A14 multiplexed) —
Connectivity Test Mode TEN (optional input on x4/x8, required on x16) —
Process Technology CMOS —
Lead-Free Yes —
ハロゲンフリー Yes —
RoHS ステータス Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Datasheet Revision Rev. 1.2 / July 2017 —
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
メモリサイズ — 8 Gbit
Clock Frequency — 1.6 GHz (DDR4-3200, 3200 MT/s data rate)
Clock Cycle Time — 19 ns class (-062E speed grade)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Temperature Grade — Automotive (AUT)
Access Time (CAS Latency class) — DDR4-3200 timing class (tAA per datasheet)
Bank Group Architecture — Yes (DDR4 bank groups)
Termination — On-Die Termination (ODT)
CA Parity — Supported (DDR4 command/address parity)
Packaging Option — Tape and Reel (TR / :R suffix)
動作温度範囲 — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Refresh Rate — [DATA_NEEDED: refresh rate]

データシート&リソース

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