IAUC100N10S5L040ATMA1 vs IAUC120N06S5L015ATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUC100N10S5L040ATMA1 メーカー: Infineon および IAUC120N06S5L015ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IAUC100N10S5L040ATMA1 IAUC100N10S5L040ATMA1 - 100V 4mΩ 100A N-Channel MOSFET | Infineon

IAUC100N10S5L040ATMA1 - 100V 4mΩ 100A N-Channel MOSFET | Infineon

IAUC100N10S5L040ATMA1 ✓ 生産中
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IAUC120N06S5L015ATMA1 IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L015ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUC100N10S5L040ATMA1 IAUC120N06S5L015ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.94 $0.92
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOST 5 Power-Transistor (IAUC) —
トランジスタタイプ N-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 400 A —
On-State Resistance RDS(on) max 4 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Logic Level —
Continuous Power Dissipation (Tc) 167 W —
パッケージ PG-TDSON-8-34 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-43 (Surface Mount)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount (exposed pad)
動作温度範囲 -55 C to +175 C (junction) -55C to +175C (Tj)
MSL Moisture Sensitivity MSL1 (up to 260 C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 qualified
Avalanche Tested 100% production avalanche tested —
AOI Compatibility Feasible for automatic optical inspection —
Technology — N-Channel MOSFET (OptiMOS 5)
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 235 A
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10 V) — 1.5 mΩ
Gate Charge (Qg, typ) — 88 nC
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 167 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
RoHS ステータス — Compliant
MSLレベル — [DATA_NEEDED: MSL level]
Drain-Source On-State Resistance Test Conditions — VGS = 10 V, ID = 50 A
Typical Application — Automotive DC-DC, battery switches, motor drives

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