IAUC28N08S5L230ATMA1 vs IAUCN10S7N021ATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUC28N08S5L230ATMA1 メーカー: Infineon および IAUCN10S7N021ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ IAUC28N08S5L230ATMA1 IAUCN10S7N021ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.71 $2.05
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS-5 —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 80 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>) 28 A —
Pulsed Drain Current (I<sub>DM</sub>) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance (R<sub>DS(on)</sub>, V<sub>GS</sub>=10 V) 23 mΩ (typ) —
Gate-Source Threshold (V<sub>GS(th)</sub>, typ) 2.5 V —
Gate Charge (Q<sub>g</sub>, typ) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>) 38 W —
動作接合温度 -55 °C to +175 °C -55 °C to +175 °C
パッケージ PG-TDSON-8-33 (5x6 mm SSO8) PG-TDSON-8-53 (SSO8, 5x6 mm) with exposed pad
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS-5 Power MOSFET OptiMOS™ 7 (trench MOSFET)
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101) —
RoHS ステータス Compliant Compliant
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 175 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM]
RDS(on) max @ VGS=10 V — 2.1 mΩ
Gate-Source Threshold (VGS(th)) typ — 3.2 V
Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10 V — 105 nC
Input Capacitance (Ciss) — 2.98 nF
Output Capacitance (Coss) — 32 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 7.153 nF
Power Dissipation (Pd) @ Tc — 217 W
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)

データシート&リソース

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