IAUC50N08S5N102ATMA1 vs IAUC60N04S6L030HATMA1 比較
詳細な並列比較: IAUC50N08S5N102ATMA1 メーカー: Infineon および IAUC60N04S6L030HATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | IAUC50N08S5N102ATMA1 | IAUC60N04S6L030HATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $0.51 | $0.94 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| トランジスタタイプ | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 50 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 10.2 mΩ @ 25 A, 10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | 2 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | ±20 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 21 nC @ 10 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 1394 pF @ 40 V | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 60 W | — |
| 動作温度範囲 | -55°C to +175°C | — |
| パッケージ / ケース | PG-TDSON-8-33 | — |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q101 | — |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| MSLレベル | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Part Series | — | OptiMOS 6 |
| Configuration | — | Half-Bridge (2 N-Channel) |
| Continuous Drain Current (ID) at TJ | — | 60 A |
| On-Resistance R_DS(on) at VGS=10V | — | 3.0 mOhm (typical) |
| Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V | — | 35 nC |
| Output Capacitance (Coss) | — | 2.128 nF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 596 pF |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC | — | 75 W |
| 動作接合温度 | — | -55 C to +175 C |
| パッケージ | — | PG-TDSON-8-56 (TDSON-8, 5 mm x 6 mm) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 (per part number suffix) |