IAUC60N04S6L030HATMA1 vs IAUC100N04S6N022ATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUC60N04S6L030HATMA1 メーカー: Infineon および IAUC100N04S6N022ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IAUC60N04S6L030HATMA1 IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 ✓ 生産中
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IAUC100N04S6N022ATMA1 IAUC100N04S6N022ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6N022ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6N022ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUC60N04S6L030HATMA1 IAUC100N04S6N022ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.94 $0.82
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Series OptiMOS 6 —
Configuration Half-Bridge (2 N-Channel) —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at TJ 60 A —
On-Resistance R_DS(on) at VGS=10V 3.0 mOhm (typical) —
Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V 35 nC —
Output Capacitance (Coss) 2.128 nF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 596 pF —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V —
Maximum Power Dissipation (PD) at TC 75 W —
動作接合温度 -55 C to +175 C —
パッケージ PG-TDSON-8-56 (TDSON-8, 5 mm x 6 mm) PG-TDSON-8 (5x6 mm) leadless
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 (per part number suffix) AEC-Q100 (IAUC family)
RoHS ステータス Compliant Compliant
MSLレベル 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Technology — OptiMOS 6, N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 100 A
Power Dissipation (P_D, Tc) — 75 W
R_DS(on) (typ at V_GS=10V) — 2.2 mOhm
動作温度範囲 — -55C to +175C (junction)
Polarity — N-Channel enhancement mode
ピン数 — 8
Gate Threshold V_GS(th) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge Q_g — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Lead-Free — Yes

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