IAUC60N04S6N031HATMA1 vs IAUC100N10S5N040ATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUC60N04S6N031HATMA1 メーカー: Infineon および IAUC100N10S5N040ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IAUC60N04S6N031HATMA1 IAUC60N04S6N031HATMA1 - 40V 60A Half-Bridge MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6N031HATMA1 - 40V 60A Half-Bridge MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6N031HATMA1 ✓ 生産中
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IAUC100N10S5N040ATMA1 IAUC100N10S5N040ATMA1 - 100V 4mΩ 100A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N10S5N040ATMA1 - 100V 4mΩ 100A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N10S5N040ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUC60N04S6N031HATMA1 IAUC100N10S5N040ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.95 $1.62
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family IAUC (Integrated Automotive Half-Bridge) —
Process Technology OptiMOS 6 40V —
Configuration Half-Bridge (2 N-Channel MOSFETs) —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tj) 60 A —
Power Dissipation (P_D, Tc=25C) 75 W —
R_DS(on) at VGS=10V 3.1 mΩ —
Gate-Source Voltage (V_GS) max [DATA_NEEDED: V_GS max rating] —
動作温度範囲 -55 °C to +175 °C (Tj) -55C to +175C (junction)
パッケージ PG-TDSON-8-56 (5 mm x 6 mm) PG-TDSON-8-34 (TDSON-8, 5x6 mm) Surface Mount
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 8 —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q100 qualified
RoHS ステータス Compliant Compliant
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] MSL1 (up to 260C peak reflow)
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
Technology — OptiMOS-5
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C — 100 A (package-limited)
Pulsed Drain Current (IDM) — 400 A
RDS(on) max @ VGS=10V — 4 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Maximum Power Dissipation (PD) — 167 W @ TC=25C
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) — 0.9 K/W
Avalanche Rating — 100% Avalanche tested
AOI Compatibility — Feasible for Automatic Optical Inspection

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