IAUC80N04S6N036ATMA1 vs IAUC100N04S6L020ATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUC80N04S6N036ATMA1 メーカー: Infineon および IAUC100N04S6L020ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IAUC80N04S6N036ATMA1 IAUC80N04S6N036ATMA1 - 40V 80A OptiMOS-6 N-MOSFET | Infineon

IAUC80N04S6N036ATMA1 - 40V 80A OptiMOS-6 N-MOSFET | Infineon

IAUC80N04S6N036ATMA1 ✓ 生産中
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IAUC100N04S6L020ATMA1 IAUC100N04S6L020ATMA1 - 40V 100A 2mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L020ATMA1 - 40V 100A 2mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L020ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUC80N04S6N036ATMA1 IAUC100N04S6L020ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.86 $0.86
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS-6 40 V —
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Gate-Source Voltage (V_GS) [DATA_NEEDED: max V_GS rating] —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C 80 A —
Power Dissipation (P_D) at T_C 50 W —
On-Resistance R_DS(on) max at V_GS=10V 3.6 mOhm —
On-Resistance R_DS(on) max at V_GS=4.5V [DATA_NEEDED: R_DS(on) at V_GS=4.5V] —
パッケージ PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8 (SS08, 5x6 mm leadless)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度範囲 -55 C to +175 C -55 °C to +175 °C (TJ)
AEC-Q101 Qualification Qualified (Automotive) —
MSLレベル 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Terminal Finish Tin (Sn) (e3 per JESD-609) —
Peak Reflow Temperature 260 C (per JEDEC J-STD-020) —
Compliance - RoHS Compliant —
Compliance - REACH Compliant —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS — 40 V
Continuous Drain Current (Tc) — 100 A
Power Dissipation (Tc) — 75 W
RDS(on) Maximum @ VGS=10V, ID=50A — 2.04 mΩ
RDS(on) Typical — 2.0 mΩ
Gate-Source Voltage VGS (max) — ±20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typical — 2.0 V
Technology — OptiMOS 6
Qualification — Automotive grade
Packaging — Tape & Reel (TMA1)
RoHS ステータス — Compliant

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