IAUCN04S7L042GATMA1 vs IAUC120N04S6N009ATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUCN04S7L042GATMA1 メーカー: Infineon および IAUC120N04S6N009ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IAUC120N04S6N009ATMA1 IAUC120N04S6N009ATMA1 - 40V 120A 0.9mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC120N04S6N009ATMA1 - 40V 120A 0.9mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC120N04S6N009ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUCN04S7L042GATMA1 IAUC120N04S6N009ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.86 $1.60
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 40V —
Technology Trench N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tj) 77 A —
Maximum Power Dissipation (PD, Tc) 50 W —
パッケージ PG-THSOG-4 (SSO4G 5x6) leaded surface mount PG-TDSON-8-33 (5x6 mm)
実装タイプ Surface Mount (IMS substrate / FR4 with thermal vias) Surface Mount
動作温度範囲 -55C to +175C (Tj) —
Polarity / Channel Type N-Channel enhancement mode N-Channel
Automotive Qualified Yes (Automotive grade, AEC-Q101 expected for Infineon OptiMOS 7 automotive parts) —
RoHS ステータス Compliant —
MSLレベル 1 1
Packing Tape & Reel (per -ATMA1 suffix) —
Target Substrate IMS substrate and legacy FR4 designs —
On-State Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V] —
Part Family — OptiMOS 6 40V
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 120 A
パルスドレイン電流 — [DATA_NEEDED: pulsed I_D value]
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 0.9 mΩ
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value]
Total Gate Charge Q_g typ — [DATA_NEEDED: Q_g typical]
Power Dissipation (Tc) — 150 W
Thermal Resistance R_thJC max — 1.0 K/W
動作接合温度 — -55 °C to +175 °C
Automotive Qualification — AEC-Q101
RoHS — Compliant
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (per Infineon product page)

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