IAUCN04S7N009ATMA1 vs IAUC60N04S6N044ATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUCN04S7N009ATMA1 メーカー: Infineon および IAUC60N04S6N044ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IAUCN04S7N009ATMA1 IAUCN04S7N009ATMA1 - 40V 0.96mΩ 175A OptiMOS 7 | Infineon

IAUCN04S7N009ATMA1 - 40V 0.96mΩ 175A OptiMOS 7 | Infineon

IAUCN04S7N009ATMA1 ✓ 生産中
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IAUC60N04S6N044ATMA1 IAUC60N04S6N044ATMA1 - 40V 4.4mΩ 60A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6N044ATMA1 - 40V 4.4mΩ 60A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6N044ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUCN04S7N009ATMA1 IAUC60N04S6N044ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.55 $0.98
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 7 —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS-6 N-channel trench MOSFET
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D) 175 A —
R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V 0.96 mΩ —
Gate Drive Voltage (V_GS) 10 V —
パッケージ PG-TDSON-8-34 (Surface Mount) PG-TDSON-8 (5x6 mm) with exposed pad
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度 -55C to +175C —
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
MSLレベル 1 1 (unlimited)
RoHS ステータス Compliant Compliant
Configuration Single N-Channel —
Supplier Device Package PG-TDSON-8-34 —
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Gate-Source Voltage (V_GS) — [DATA_NEEDED: max V_GS rating]
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=25°C — 60 A
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=100°C — [DATA_NEEDED: pulsed/current derated value]
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance R_DS(on) max @ V_GS=10V — 4.4 mΩ
On-Resistance R_DS(on) max @ V_GS=4.5V — [DATA_NEEDED: R_DS(on) at V_GS=4.5V]
Total Gate Charge (Q_g) — [DATA_NEEDED: typical gate charge]
Power Dissipation (P_D) at Tc=25°C — 42 W
動作接合温度 — -55°C to +175°C
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified (IAUC prefix)
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / [DATA_NEEDED: halogen-free status]

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