IAUCN10S5L110TATMA1 vs IPB024N10N5ATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUCN10S5L110TATMA1 メーカー: Infineon および IPB024N10N5ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IAUCN10S5L110TATMA1 IAUCN10S5L110TATMA1 - 100V 61A OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN10S5L110TATMA1 - 100V 61A OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN10S5L110TATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUCN10S5L110TATMA1 IPB024N10N5ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.08 $1.86
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 5 —
Technology N-Channel MOSFET, Trench, Logic Level OptiMOS 5 N-Channel MOSFET (trench, shielded gate)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tj 61 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 11.3 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: gate-source voltage rating] —
Power Dissipation (PD) at Tc 88 W —
動作接合温度 -55 °C to +175 °C —
Storage Temperature [DATA_NEEDED: storage temperature] —
パッケージ PG-LHDSO-10-1 (SSO10T 5x7), Top-Side Cooled PG-TO263-7 (D2PAK-7)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSLレベル MSL1 (260°C peak reflow) 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH)
Avalanche Rated 100% Avalanche Tested —
Automotive Qualification AEC-Q101 Extended Qualification —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 180 A
Power Dissipation (PD, TC=25C) — 250 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 2.4 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Gate Charge Qg typ @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: Qg total gate charge]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total gate charge]
Input Capacitance Ciss — [DATA_NEEDED: Ciss value]
Output Capacitance Coss — [DATA_NEEDED: Coss value]
Reverse Recovery Charge Qrr — [DATA_NEEDED: Qrr value]
動作温度範囲 — -55C to +175C (junction)
Packaging — Tape & Reel (13-inch reel)
ハロゲンフリー — Yes (per Infineon product family policy)

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